发明名称 干蚀刻装置以及安装于其上的气孔装置
摘要 一种干蚀刻装置,其利用等离子体进行薄膜蚀刻。此干蚀刻装置由真空腔、上电极板、下电极板、等离子体真空放电区、电源以及气体出口所组成。其中,上电极板安装于真空腔内,且具有至少一气体入口,此气体入口用以导入工艺气体。下电极板亦安装于真空腔内,而等离子体真空放电区介于上电极板与下电极板之间。电源电连接上电极板与下电极板,用以提供等离子体真空放电区所需的电位差。气体出口连接真空腔与真空系统,用以维持真空腔内的等离子体状态。而上述的气体入口更具有一树脂层,用以保护气体入口免于被蚀刻影响。
申请公布号 CN1735313A 申请公布日期 2006.02.15
申请号 CN200510092109.3 申请日期 2005.08.19
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 江泓庆;张奕锟;洪国展;侯建州
分类号 H05H1/46(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01J37/32(2006.01) 主分类号 H05H1/46(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1、一种干蚀刻装置,其利用等离子体进行薄膜蚀刻,该干蚀刻装置至少包含:一真空腔;一上电极板,安装于该真空腔内,该上电极板包含至少一气体入口,用以导入一工艺气体;一下电极板,安装于该真空腔内;一等离子体真空放电区,位于该真空腔内,且介于该上电极板与该下电极板之间;一电源,电连接该上电极板与该下电极板,用以提供该等离子体真空放电区一电位差;以及至少一气体出口,连接该真空腔与一真空系统,用以保持该真空腔内的等离子体状态;其中,该至少一气体入口还包括一树脂层,该树脂层安装于该至少一气体入口。
地址 台湾新竹市