具有金属保护层之可变电阻式记忆体制程

摘要

叙述基于金属氧化物之记忆体装置以及其制造方法。一种记忆胞的制造方法包括：于一存取装置上形成一绝缘层，其次是形成通过绝缘层之通孔以暴露第一存取装置端子以及第二存取装置端子。接着形成延伸通过通孔的第一层间导体以及第二层间导体。氧化层间导体之上表面以形成氧化层。位于第一层间导体上的氧化层形成一记忆层。于绝缘层之顶部上形成覆盖氧化层的一保护金属层。图案化并蚀刻保护金属层以形成覆盖记忆层之一顶电极层。移除第二层间导体上之氧化层。接着分别形成平行之第一存取线路以及第二存取线路于顶电极层上以及第二层间导体上。

主权项

【第1项】一种记忆体，包括：
一存取装置，具有一第一端子以及一第二端子；
一绝缘层；
一第一层间导体，接触该第一端子，该第一层间导体延伸通过该绝缘层，且具有一电极表面；
一第二层间导体，接触该第二端子，该第二层间导体延伸通过该绝缘层；
一金属氧化物层，接触该电极表面；
一顶电极层，接触该金属氧化物层，该顶电极层包括一第一材料；
一第一存取线路，电性连接至该顶电极层；以及
一第二存取线路，电性连接至该第二层间导体；
其中由该第一材料形成的一层并未存在于该第二层间导体以及该第二存取线路之间。