氮化物半导体结构及半导体发光元件,申请号TW101143115-传众专利搜索

发明名称	氮化物半导体结构及半导体发光元件
摘要	明系有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件，系主要于发光层与p型载子阻隔层间配置有一应力控制层，p型载子阻隔层由AlzGa1-zN表示之材料所构成(0<z<1)，而应力控制层以AlxInyGa1-x-yN表示之材料所构成(0<x<1、0<y<1、0<x+y<1)，且发光层具有复数个彼此交替堆叠之井层及阻障层的多重量子井结构，且每两层阻障层间具有一井层；藉此，应力控制层不仅可改善p型载子阻隔层与发光层因晶格失配所造成晶体品质劣化的问题；同时，更可减低井层因材料差异所受之压缩应力。
申请公布号	TWI535055	申请公布日期	2016.05.21
申请号	TW101143115	申请日期	2012.11.19
申请人	新世纪光电股份有限公司	发明人	黄吉丰;林京亮;王信介;吴俊德;李玉柱;李俊杰
分类号	H01L33/04(2010.01)	主分类号	H01L33/04(2010.01)
代理机构		代理人	叶璟宗;詹东颖;刘亚君
主权项	一种氮化物半导体结构，系主要于发光层与一p型载子阻隔层间配置有一应力控制层，该发光层具有多重量子井结构，且该多重量子井结构包含复数个彼此交替堆叠之井层及阻障层，且每两该阻障层间系具有一该井层，该p型载子阻隔层由化学式AlzGa1-zN表示之材料所构成，其中0<z<1，而该应力控制层系以AlxInyGa1-x-yN表示之材料所构成，其中，x及y系满足0<x<1、0<y<1、0<x+y<1之数值，该应力控制层掺杂有浓度小于1019cm-3的n型掺质。
地址	台南市善化区大利三路5号