| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
明提供一种不容易因微型化而产生电特性变动的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：包括第一区、与第一区的侧面接触的一对第二区、与一对第二区的侧面接触的一对第三区的氧化物半导体膜；设置在氧化物半导体膜上的闸极绝缘膜；以及闸极绝缘膜上的与第一区接触的第一电极，其中，第一区为CAAC氧化物半导体区，一对第二区及一对第三区为包含掺杂物的非晶氧化物半导体区，一对第三区的掺杂浓度比一对第二区的掺杂浓度高。 |
| 申请公布号 |
TWI535031 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
| 申请号 |
TW100148630 |
申请日期 |
2011.12.26 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平 |
| 分类号 |
H01L29/786(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L27/11(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/8244(2006.01);H01L21/8247(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括：氧化物半导体膜，包括：第一区；一对第二区，该第一区位于该一对第二区之间；以及一对第三区，该第一区及该一对第二区位于该一对第三区之间；该氧化物半导体膜上的闸极绝缘膜；以及该闸极绝缘膜上的并与该第一区重叠的第一电极，其中，该闸极绝缘膜与该第一区、该一对第二区以及该一对第三区重叠，其中，该第一区为c轴配向的晶体氧化物半导体区，该一对第二区及该一对第三区的每一个包含掺杂物，并且，该一对第三区的掺杂浓度高于该一对第二区的掺杂浓度。
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| 地址 |
日本 |
