发明名称 绝缘闸极双极性电晶体及其制造方法
摘要 明实施例提供一种绝缘闸极双极性电晶体及其制造方法。上述绝缘闸极双极性电晶体包括主体;漂移区,接近于主体的顶面;集极区,从主体的底面延伸至主体中;一闸极结构,位于漂移区上;第一井区和第二井区,位于上述漂移区上,且位于上述第一闸极结构的两侧;第一射极区,位于第一井区中;第二射极区,位于第二井区中,第一射极区与第一井区之间的深度差不同于第二射极区与第二井区之间的深度差。
申请公布号 TWI535006 申请公布日期 2016.05.21
申请号 TW103129148 申请日期 2014.08.25
申请人 新唐科技股份有限公司 发明人 陈 鲁夫;陈柏安
分类号 H01L29/73(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L29/73(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项 一种绝缘闸极双极性电晶体,包括:一主体,具有一顶面和一底面;一漂移区,位于该主体内,且接近于该主体的该顶面,其中该漂移区具有一第一导电类型;一集极区,从该主体的该底面延伸至部分该主体中,其中该集极区具有相对于该第一导电类型的一第二导电类型;一第一闸极结构、一第二闸极结构和一第三闸极结构,位于该漂移区上,且彼此隔开;一第一井区,位于该漂移区上,且位于该第一闸极结构和该第二闸极结构之间,其中该第一井区具有该第二导电类型;一第二井区,位于该漂移区上,且位于该第一闸极结构和该第三闸极结构之间,其中该第二井区具有该第二导电类型;一第一射极区,从该主体的该顶面延伸至该第一井区中,其中该第一射极区具有该第一导电类型;以及一第二射极区,从该主体的该顶面延伸至该第二井区中,其中该第二射极区具有该第一导电类型,其中该第一射极区与该第二射极区电性连接;其中从该第一射极区与该第一井区之间沿一方向的一第一界面至该第一井区与该漂移区之间沿该方向的一第二界面的一第一距离不同于从该第二射极区与该第二井区之间之间沿该方向的一第三界面至该第二井区与该漂移区之间沿 该方向的一第四界面的一第二距离。
地址 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号