METHOD OF FABRICATING Si1-XGeX FILMS ON SILICON SUBSTRATES,申请号KR20030040471-传众专利搜索

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发明名称	METHOD OF FABRICATING Si1-XGeX FILMS ON SILICON SUBSTRATES
摘要
申请公布号	KR100551517(B1)	申请公布日期	2006.02.13
申请号	KR20030040471	申请日期	2003.06.21
申请人		发明人
分类号	C30B25/02;C30B29/52;C30B31/22;H01L21/20;H01L21/265	主分类号	C30B25/02
代理机构		代理人
主权项
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