| 主权项 |
1.一种用于193nm平版印刷(lithography)制程的光阻组 合物,包含(a)一影像聚合物成分(imaging polymer component),及(b)一电磁波敏感的酸产生剂(radiation sensitive acid generator),该影像聚合物成分包含具数 个单体单元之一酸敏感聚合物(acid-sensitive polymer), 该数个单体单元有一悬垂基(group pendant)悬垂于该 数个单体单元的一聚合部分,其中该聚合部分形成 了该酸敏感聚合物之一主架(backbone)的一部分,该 悬垂基则包含一远端酸不安定部分体(remote acid labile moiety),藉一非酸不安定间隔物部分体(non-acid labile spacer moiety)与该聚合部分隔开,其中每个该单 体单元的聚合部分为一伸乙基主架部份体,且其中 该影像聚合物成分系实质上不含芳香基部分体。 2.如申请专利范围第1项所述之组合物,其中该间隔 物族群(spacer group)包含至少四个原子是选自碳及 氧所组成之群组。 3.如申请专利范围第2项所述之组合物,其中该间隔 物为包含有至少三个碳原子的一亚烃基(alkylene)间 隔物。 4.如申请专利范围第2项所述之组合物,其中该间隔 物族群包含一亚烃基酯(alkylene ester)。 5.如申请专利范围第4项所述之组合物,其中该亚烃 基酯包含具一到三个碳原子之一亚烃基部份体。 6.如申请专利范围第1项所述之组合物,其中该酸不 安定部分体是独立地(independently)选自第三级烷基 酯(tertiary alkyl esters)、环烷酯(cycloalkyl esters)、缩 酮(ketals)、乙缩醛(aceta1s)及其组合所组成之群组 。 7.如申请专利范围第6项所述之组合物,其中该酸不 安定部分体是独立地选自第三丁酯(t-butyl ester)、 甲基环己酯(methyl cyclohexyl ester)、甲基金刚烷基酯 (methyl adamantly ester)及其组合所组成之群组。 8.如申请专利范围第1项所述之组合物,其中该酸敏 感聚合物进一步包含至少一单体单元是选自以下 所组成之群组,(a)含酸不安定部分体之丙烯酸( acrylic)之单体单元,除了抑制该光阻于水性硷液( aqueous alkaline solutions)中之溶解度的一远端酸不安 定部分体外,(b)含极性(polar)部分体之丙烯酸之单 体单元,该极性部分体系促进该光阻于水性硷液中 之溶解度,及(c)含无悬垂部分体或非极性及非酸不 安定性之悬垂部分体之丙烯酸之单体单元。 9.如申请专利范围第1项所述之组合物,其中该酸敏 感聚合物包含至少约10%莫耳百分比(mole%)的含远端 酸不安定部分体之单体单元。 10.如申请专利范围第1项所述之组合物,其中该影 像聚合物成分进一步包含不具远端酸不安定部分 体之一额外的酸敏感聚合物。 11.如申请专利范围第10项所述之组合物,其中该影 像聚合物成分包含至少10wt%之具远端酸不安定部 分体之酸敏感聚合物。 12.如申请专利范围第1项所述之组合物,其中该光 阻组合物包含以该影像聚合物的重量为分母至少 约0.5wt%之该电磁波敏感的酸产生剂。 13.如申请专利范围第1项所述之组合物,其中该具 远端酸敏感部分体之单体单元有如下之结构: 其中: (i)X是一亚烯烃或一亚烯烃醚(alkylene ether), (ii)M是一伸乙基(ethylenic)为主架部分体, (iii)q等于0或1,及 (iv)Q为含一远端酸不安定部分体之一族群(group)。 14.一种方法,供在基材上形成图案化的材料结构, 该材料选自半导体、陶瓷及金属组成之群组,该方 法包含: (A) 以一层该材料作为一基材; (B) 应用一光阻组合物在该基材上形成一光阻层, 该光阻组合物包含(a)一影像聚合物成分,及(b)一电 磁波敏感的酸产生剂,该影像聚合物成分包含具数 个单体单元之一酸敏感聚合物,该数个单体单元有 一悬垂基悬垂于该数个单体单元的一聚合部分,, 该悬垂基则包含一远端酸不安定部分体,其中每个 该单体单元的聚合部分为一伸乙基主架部份体,且 其中该影像聚合物成分系实质上不含芳香基部分 体; (C) 将该基材依图案曝光于193nm电磁波中,使该光阻 层曝露在该电磁波之区域之酸产生剂产生酸; (D) 将该基材与一水相硷性显影剂溶液接触,使该 光阻层曝光之该区域选择性地被该显影剂溶解而 露出一图案化的光阻结构;及 (E) 通过在该光阻结构样式之间隔(spaces)蚀刻该材 料层,使该光阻结构图案移转到该材料层。 15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该蚀刻 包含反应性离子蚀刻(reactive ion etching)。 16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中在该材 料层及该光阻层之间至少提供一中间层(intermediate layer),而且步骤(E)包含蚀刻通过该中间层。 17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中在步骤( C)和(D)之间该基材应被烘烤。 18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该具远 端酸敏感部分体之单体单元有如下之结构: 其中: (i)X是一亚烯烃或一亚烯烃醚(alkylene ether), (ii)M是一伸乙基(ethylenic)为主架部分体, (iii)q等于0或1,及 (iv)Q为含一远端酸不安定部分体之一族群。 19.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该影像 聚合物成分进一步包含不具远端酸不安定部分体 之一额外的酸敏感聚合物。 20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该影像 聚合物成分包含至少10wt%之具远端酸不安定部分 体之酸敏感聚合物。 |
