发明名称 减少镜面反射之液晶显示器反射层之制造方法
摘要 一种具有减少镜面反射之液晶显示器反射层的制造方法,包括:提供基底。在基底之上形成一有机绝缘层,以第一道微影蚀刻制程在有机绝缘层形成具有由低至高之多个凸起。以一热制程,用以将多个光阻凸起热回流为多个类斜面凸点(Bump)。以第二道微影蚀刻的制程在类斜面凸点顶端峰的位置及凸点间谷的位置形成不平坦的表面。再形成一金属薄膜于此经蚀刻的表面,以形成一反射层或是一半穿透/半反射层。
申请公布号 TWI249051 申请公布日期 2006.02.11
申请号 TW089117470 申请日期 2000.08.29
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 张炜炽;丁岱良
分类号 G02F1/133 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种减少镜面反射之液晶显示器反射层的制造 方法,包括提供一基底,该基底上包括一薄膜电晶 体及一绝缘层,该薄膜电晶体包括一闸极及一源极 及汲极: 形成一有机绝缘层于该绝缘层之上; 形成图案化一第一光阻层,曝露出部分该有机绝缘 层; 以该第一光阻层为罩幕,蚀刻该有机绝缘层之部分 厚度,以在该有机绝缘层上形成复数个凸起; 移除该第一光阻层; 进行一热制程,该热制程系用以将该些凸起热回流 而形成复数个类斜面凸点; 形成图案化的一第二光阻层于该有机绝缘层之上, 该光阻层曝露出该些类斜面凸点顶端区域的部分 及该些类斜面凸点间凹陷区域的部分; 以该第二光阻层为罩幕,蚀刻该些类斜面凸点之表 面; 移除该第二光阻层;以及 形成一金属薄膜于该有机绝缘层之上,覆盖住该些 类斜面凸点的全部或部分。 2.如申请专利范围第1项所述之减少镜面反射之液 晶显示器反射层的制造方法,该有机绝缘层的材质 为压克力树脂或是感光树脂。 3.如申请专利范围第1项所述之减少镜面反射之液 晶显示器反射层的制造方法,其中该金属薄膜的材 质可以为例如铝、镍、镁、铬、银或铜等金属所 组成的族群中,选择而构成的。 4.如申请专利范围第1项所述之减少镜面反射之液 晶显示器反射层的制造方法,其中该绝缘层的材质 包括氮化矽。 5.如申请专利范围第1项所述之减少镜面反射之液 晶显示器反射层的制造方法,其中该有机绝缘层包 括一开口,该开口曝露出位于该源极及汲极上方之 该绝缘层。 6.如申请专利范围第5项所述之减少镜面反射之液 晶显示器反射层的制造方法,其中该第二光阻层曝 露出该开口及该开口底部之该绝缘层。 7.如申请专利范围第6项所述之减少镜面反射之液 晶显示器反射层的制造方法,当以该第二光阻层为 罩幕蚀刻该些类斜面凸点之表面时,更包括移除该 口底部之该绝缘层并曝露出该源极及汲极。 8.一种液晶显示器之反射层的制造方法,包括: 提供一基底; 形成一有机绝缘层覆盖于该基底; 形成图案化一光阻层于该有机绝缘层之上; 以该光阻层为罩幕,蚀刻有机绝缘层之部分厚度, 以使该有机绝缘层上具有一近似同心圆或是一同 心圆图案; 移除该光阻层; 进行一热制程,该热制程系用以将该近似同心圆或 是同心圆图案回流成一波浪状近似同心圆或是同 心圆结构;以及 形成一金属薄膜于该有机绝缘层之上,覆盖住该波 浪状近似同心圆或是同心圆的结构的全部或部分 。 9.如申请专利范围第8项所述之液晶显示器之反射 层的制造方法,该有机绝缘层的材质为压克力树脂 或是感光树脂。 10.如申请专利范围第8项所述之液晶显示器之反射 层的制造方法,其中该金属薄膜的材质可以为例如 铝、镍、镁、铬、银或铜等金属所组成的族群中, 选择而构成的。 11.一种减少镜面反射之液晶显示器反射层的制造 方法,包括提供一基底,该基底上包括一薄膜电晶 体及一绝缘层,该薄膜电晶体包括一闸极及一源极 及汲极: 形成一有机绝缘层覆盖于该绝缘层之上; 形成图案化一第一光阻层于该有机绝缘层之上; 以该第一光阻层为罩幕,蚀刻该有机绝缘层之部分 厚度,以使该有机绝缘层上具有一近似同心圆或是 一同心圆图案; 移除该第一光阻层; 进行一热制程,该热制程系用以将该近似同心圆或 是同心圆图案回流为一波浪状近似同心圆或是同 心圆结构; 形成图案化的一第二光阻层于该有机绝缘层之上, 该第二光阻层系曝露出该波浪状近似同心圆或是 同心圆结构的波峰部分区域及波谷部分区域; 以该第二光阻层为罩幕,蚀刻该波浪状近似同心圆 或是同心圆结构的表面; 移除该第二光阻层;以及 形成一金属薄膜于该有机绝缘层之上,覆盖住该波 浪状近似同心圆或是同心圆结构的全部或部分。 12.如申请专利范围第11项所述之减少镜面反射之 液晶显示器反射层的制造方法,该有机绝缘层的材 质为压克力树脂或是感光树脂。 13.如申请专利范围第11项所述之减少镜面反射之 液晶显示器反射层的制造方法,其中该金属薄膜的 材质可以为例如铝、镍、镁、铬、银或铜等金属 所组成的族群中,选择而构成的。 14.如申请专利范围第11项所述之减少镜面反射之 液晶显示器反射层的制造方法,其中该绝缘层的材 质包括氮化矽。 15.如申请专利范围第11项所述之减少镜面反射之 液晶显示器反射层的制造方法,其中该有机绝缘层 包括一开口,该开口曝露出位于该源极及汲极上方 之该绝缘层。 16.如申请专利范围第15项所述之减少镜面反射之 液晶显示器反射层的制造方法,其中该第二光阻层 曝露出该开口及该开口底部之该绝缘层。 17.如申请专利范围第16项所述之减少镜面反射之 液晶显示器反射层的制造方法,其中当以该第二光 阻层为罩幕蚀刻该波浪状近似同心圆或是同心圆 结构的表面时,更包括移除该口底部之该绝缘层并 曝露出该源极及汲极。 图式简单说明: 第1A图系由习知所揭露之粗糙反射电极的制造方 法所得之反射板之剖面示意图; 第1B图系绘示习知反射板之反射率和视角的相对 关系; 第2图系根据本发明第二及第三较佳实施例所绘示 反射板之反射率和视角的相对关系; 第3A图系绘示根据本发明第一较佳实施例在一个 画素(Pixel)位置上应用本发明所揭露的方法所形成 的一个波浪状类同心圆的结构; 第3B图至第3E图系绘示根据本发明第一较佳实施例 ,形成该结构之方法的剖面示意图; 第3F图系绘示根据本发明第一较佳实施例,在结构 上形成反射电极的方法的剖面示意图; 第4A图至第4F图系绘示根据本发明第二较佳实施例 所揭露的减少镜面反射之液晶显示器反射层制造 方法的剖面示意图;以及 第5A图至第5B图系绘示根据本发明第三较佳实施例 所揭露的减少镜面反射之液晶显示器反射层制造 方法的剖面示意图。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号
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