| 主权项 |
1.一种用于在基材表面上形成图型化光阻层的方 法,包括以下步骤: (1)将基材表面以负型作用光阻组成物加以涂覆而 形成一涂层,该组成物含有以下成分并呈均匀的有 机溶剂溶液, (A)0.5至30重量份可藉着照射光化射线而释出酸之 化合物,及 (B)100重量份之树脂化合物,其重量平均分子量范围 为2000至20000,可于酸存在下而不溶解于硷水溶液, 该作为成分(B)之树脂化合物分子中含有至少一个 羟基及至少一个羧基或羧酸酯基而于酸存在下彼 此反应以形成分子间或分子内之酯键,使得该树脂 化合物不溶于硷水溶液; (2)令该基材表面上的涂层进行预烤处理以形成乾 燥光阻层; (3)令该乾燥光阻层逐图曝照于光化射线下; (4)令该光阻层进行曝光后烘烤处理;及 (5)以显影剂硷水溶液对该光阻层进行显影处理而 形成图型化光阻层。 2.如申请专利范围第1项之形成图型化光阻层的方 法,其中该预烤处理系在100至120℃下进行。 3如申请专利范围第1项之形成图型化光阻层的方 法,其中该光化射线为ArF准分子雷射光束。 4.如申请专利范围第1项之形成图型化光阻层的方 法,其中该曝光后烘烤处理系在120至1500C下进行90 秒至30分钟之时间。 5.如申请专利范围第1项之形成图型化光阻层的方 法,其中该显影剂硷水溶液为氢氧化四甲基铵水溶 液。 |
