| 主权项 |
1.一种用于半导体制造之方法步骤中自铝或铜/铝 合金移除残余聚合物的组成物,其包括于水溶液中 ,总量为10-500毫克/公斤之H2SiF6及/或HBF4,12-17重量% 之H2SO4,2-4重量%H2O2,可选择地组合添加物于水溶液 中。 2.一种包括H2SiF6及/或HBF4之组成物的用途,该组成 物在半导体制造之方法步骤中作为残余聚合物移 除剂,其中该组成物包括于水溶液中,总量为10-500 毫克/公斤之H2SiF6及/或HBF4,12-17重量%之H2SO4,2-4重量 %H2O2,可选择地组合添加物于水溶液中。 3.如申请专利范围第2项之用途,系用以自铝或含铝 之导体轨迹移除残余聚合物。 4.如申请专利范围第2项之用途,系用以在乾蚀刻后 移除在金属导体轨迹和接触孔上之残余聚合物。 5.一种如申请专利范围第1项之组成物的用途,系用 以自铝或铜/铝合金移除残余聚合物。 6.如申请专利范围第2或5项之用途,系用以在使用 旋转蚀刻机或在槽单元中之半导体制造中的一方 法步骤中移除残余聚合物。 7.一种自铝或含铝之导体轨迹移除残余聚合物的 方法,其特征在于使用如申请专利范围第1项之组 成物来移除残余聚合物。 |
