| 主权项 |
1.一种压印用模仁之制作方法,其步骤系包括: (a)提供一基板; (b)于该基板上方形成具有复数个凹槽之一介电层, 其中该复数个凹槽之底部系导通至该基板表面; (c)于该凹槽之底部形成复数个奈米柱结构;以及 (d)于该奈米柱结构之外表面披覆一金属材料。 2.如申请专利范围第1项所述之压印用模仁之制作 方法,其中该基板材料可为矽基板、玻璃基板、金 属基板其中之一。 3.如申请专利范围第1项所述之压印用模仁之制作 方法,其中该基板系包括: 一基材;以及 一导电层,其系形成于该基材上方。 4.如申请专利范围第2项所述之压印用模仁之制作 方法,其中该导电层系可为金属、ITO、多晶矽其中 之一。 5.如申请专利范围第1项所述之压印用模仁之制作 方法,其中该复数个奈米柱结构材料系可为碳、矽 、氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)、氧化锌(ZnO)、氮化硼( BN)、二硫化钼(MOS2)、二硫化钨(WS2)其中之一,且其 形式可为实心柱与空心柱其中之一。 6.如申请专利范围第1项所述之压印用模仁之制作 方法,其中步骤(c)中该复数个奈米柱结构之形成方 式系利用化学气相沉积、微波(micro-wave)放电、雷 射蒸镀其中之一技术而形成。 7.如申请专利范围第1项所述之压印用模仁之制作 方法,其中步骤(c)中该复数个奈米柱结构之形成方 式系包括: (i)于该凹槽之底部形成一触媒层; (ii)于该触媒层上方形成该复数个奈米柱结构。 8.如申请专利范围第7项所述之压印用模仁之制作 方法,其中该触媒层系可为铁、钴、镍、铁合金、 镍合金、金其中之一。 9.如申请专利范围第1项所述之压印用模仁之制作 方法,其中该金属材料可为镍、镍合金、金、铜其 中之一。 10.如申请专利范围第1项所述之压印用模仁之制作 方法,其中步骤(d)中披覆该金属材料之方式系利用 电镀、无电电镀、溅镀、蒸镀其中至少之一种(含 )以上技术来达成。 11.如申请专利范围第1项所述之压印用模仁之制作 方法,其中步骤(d)中该金属材料披覆该复数个奈米 柱结构之同时,亦披覆于该介电层上方。 12.一种压印用模仁之制作方法,其步骤系包括: (a)提供一基板; (b)于该基板上方利用微影蚀刻形成一具特定排列 之图案触媒层; (c)于该触媒层上方形成复数个奈米柱结构;以及 (d)于该奈米柱结构之外表面披覆一金属材料。 13.如申请专利范围第12项所述之压印用模仁之制 作方法,其中该基板材料可为矽基板、玻璃基板、 陶瓷基板其中之一。 14.如申请专利范围第12项所述之压印用模仁之制 作方法,其中该基板系包括: 一基材;以及 一导电层,其系形成于该基材上方。 15.如申请专利范围第14项所述之压印用模仁之制 作方法,其中该导电层系可为金属、ITO、多晶矽其 中之一。 16.如申请专利范围第12项所述之压印用模仁之制 作方法,其中该复数个奈米柱结构材料系可为碳、 矽、氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)、氧化锌(ZnO)、氮化 硼(BN)、二硫化钼(MoS2)、二硫化钨(WS2)其中之一,且 其形式可为实心柱与空心柱其中之一。 17.如申请专利范围第12项所述之压印用模仁之制 作方法,其中步骤(d)中该复数个奈米柱结构之形成 方式系利用化学气相沉积、微波(micro-wave)放电、 雷射蒸镀其中之一技术而形成。 18.如申请专利范围第12项所述之压印用模仁之制 作方法,其中该触媒层系可为铁、钴、镍、铁合金 、镍合金、金其中之一。 19.如申请专利范围第12项所述之压印用模仁之制 作方法,其中该金属材料可为镍、镍合金、金、铜 其中之一。 20.如申请专利范围第12项所述之压印用模仁之制 作方法,其中步骤(e)中披覆该金属材料之方式系利 用电镀、无电电镀、溅镀、蒸镀其中至少之一种( 含)以上技术来达成。 21.如申请专利范围第12项所述之压印用模仁之制 作方法,其中步骤(d)中该金属材料披覆该复数个奈 米柱结构之同时,亦披覆于该基板上方。 图式简单说明: 图一A至图一C系为标准将奈米压印微影技术应用 于半导体制程中之示意图。 图二A至图二E系为本发明一种压印用模仁之制作 方法的第一较佳实施例。 图二F系为本发明之第一较佳实施例中的另一实施 态样。 图三A至图三E系为本发明一种压印用模仁之制作 方法的第二较佳实施例。 图三F系为本发明之第二较佳实施例中的另一实施 态样。 |
