| 主权项 |
1.一种图案形成用放射性敏感负型光阻剂组成物, 含有环氧树脂、放射性敏感阳离子性聚合引发剂 以及溶解环氧树脂之溶剂,其特征在于该光阻剂组 成物经由乾燥而形成一种光阻剂薄膜,其具有软化 点落入30℃至120℃之范围,以及该环氧树脂系以式( 1)表示: (其中R1表示衍生自具有k个活性氢原子(k表示1至100 之整数)之有机化合物部分;n1、n2至nk各自表示0或1 至100之整数;n1、n2至nk之和系落入1至100之范围;以 及各个「A」彼此相同或相异,式(2)表示之氧基环 己烷主链: (其中X表示式(3)至(5)之任一个基团: (其中R2表示氢原子、烷基或醯基),以及一个环氧 树脂分子含有至少两个式(3)表示之基团))。 2.如申请专利范围第1项之图案形成用放射性敏感 负型光阻剂组成物,其中该放射性敏感阳离子性聚 合引发剂包含一或多种盐。 3.如申请专利范围第1项之图案形成用放射性敏感 负型光阻剂组成物,其中该放射性敏感阳离子性聚 合引发剂具有一或多个阴离子部分,其中至少一种 阴离子部分为SbF6-。 4.如申请专利范围第1项之图案形成用放射性敏感 负型光阻剂组成物,其中该放射性敏感阳离子性聚 合引发剂具有一或多个阴离子部分,其中至少一种 阴离子部分为式(6)表示之硼酸根: (其中x1至x4各自表示0至5之整数,以及x1+x2+x3+x4之和 为1或1以上)。 5.如申请专利范围第1项之图案形成用放射性敏感 负型光阻剂组成物,其中该环氧树脂具有软化点为 30℃或以上。 6.一种图案形成方法,其特征在于该方法包含:一第 一步骤,方包用如申请专利范围第1至5项中任一项 之图案形成用放射性敏感负型光阻剂组成物至一 基板;一第二步骤,乾燥该经以图案形成用放射性 敏感负型光阻剂组成物涂覆之基板,因而形成光阻 剂薄膜;一第三步骤,根据所欲图案,选择性曝光形 成之光阻剂薄膜于活性能束;一第四步骤,加热该 曝光后之光阻剂薄膜,俾提升欲形成之图案之反差 ;以及一第五步骤,显影该经加热后之光阻剂薄膜, 藉此透过溶解而去除光阻剂薄膜之未曝光区,因而 形成图案化层。 7.如申请专利范围第6项之图案形成方法,其中该光 阻剂薄膜具有厚度至少为50微米。 8.如申请专利范围第6项之图案形成方法,其中该方 法包括于第五步骤完成后,一第六步骤,施用该图 案化层材料以外之材料至该图案化层,让图案化层 存在的空间以该材料填补至少至某种高度,藉此形 成第二层。 9.如申请专利范围第8项之图案形成方法,其中该第 二层系透过金属镀覆形成。 10.如申请专利范围第8项之图案形成方法,其中该 第二层系经由浇铸可光硬化树脂或可热硬化树脂, 以及藉光或热硬化该树脂而形成。 图式简单说明: 图1A至1D显示根据本发明之一具体实施例,形成图 案之方法。 图2A至2D显示根据本发明之另一具体实施例,形成 图案之方法。 |
