| 主权项 |
1.一种光罩对准程序,该光罩对准程序系使用于一 半导体晶片上,该半导体晶片表面包含有一主要图 案区域(cell pattern area)与一次要图案区域(minor pattern area),该次要图案区域上包含至少一前层晶 片对准记号(pre-layer wafer alignment mark,pre-layer wafer AM),该前层晶片对准记号系由将一前层光罩(pre- layer reticle)上之一前层光罩对准记号(pre-layer reticle AM)转移至该半导体晶片上而形成,该光罩对 准程序包含有下列步骤: 提供一当层光罩(current-layer reticle),该当层光罩至 少包含有一当层光罩对准记号(current-layer reticle AM )与一电路图形; 进行一基线测试(baseline check,BCHK),以将该当层光罩 对准记号与该前层晶片对准记号相对准; 撷取并比对该当层光罩对准记号之影像讯号与该 半导体晶片上相对应之该前层晶片对准记号之影 像讯号,以校正该当层光罩与该半导体晶片之相对 座标;以及 进行一微影制程,将该当层光罩上之该电路图形以 及该当层光罩对准记号之图形转移至该半导体晶 片上,以于该次要图案区域上形成一相对应于该当 层光罩对准记号之当层晶片对准记号(current-layer AM)。 2.如申请专利范围第1项之光罩对准程序,其中该次 要图案区域系位于一切割道(scribe line)上。 3.如申请专利范围第1项之光罩对准程序,其中各该 对准记号之影像之撷取系利用一光罩对准机台之 一录像型光罩对准感应器(video reticle alignment sensor ,VRA sensor)来进行。 4.如申请专利范围第1项之光罩对准程序,其中各该 被撷取之对准记号的影像之撷取、转化与储存系 利用一高速之影像处理器(image processor)来进行。 5.如申请专利范围第3项之光罩对准程序,其中该录 像型光罩对准感应器系利用一载子耦合装置相机( charge couple device camera,CCD camera)来撷取各该光罩之 该相对应之对准记号的影像。 6.一种于进行复数道微影制程时,利用一光罩对准 机台校正一半导体晶片与光罩之相对座标的方法, 该复数道微影制程包含至少一利用一第一光罩所 进行之第一微影制程与一利用一第二光罩所进行 之第二微影制程,该半导体晶片表面包含有一主要 图案区域与一次要图案区域,该次要图案区域上包 含至少一第一晶片对准记号(first on-wafer AM),该第 一光罩上至少包含有一第一光罩对准记号与一第 一电路图形,该第二光罩上至少包含有一第二光罩 对准记号与一第二电路图形,该方法包含有下列步 骤: 提供该第一光罩; 进行一基线测试(baseline check,BCHK),以将该第一光罩 上之该第一光罩对准记号与该第一晶片对准记号 相对准; 撷取并比对该第一光罩对准记号之影像讯号与该 半导体晶片上相对应之该第一晶片对准记号之影 像讯号,以校正该第一光罩与该半导体晶片之相对 座标; 进行该第一微影制程,将该第一光罩上之该第一电 路图形转移至该半导体晶片上,并同时将该第一光 罩对准记号之图形转移至该半导体晶片上,以于该 次要图案区域上形成一由该第一晶片对准记号与 该第一光罩对准记号之图形堆叠而成之第二晶片 对准记号(second on-wafer AM); 提供该第二光罩; 进行一基线测试,以将该第二光罩对准记号与该第 二晶片对准记号相对准; 撷取并比对该第二光罩对准记号之影像讯号与该 半导体晶片上相对应之该第二晶片对准记号之影 像讯号,以校正该第二光罩与该半导体晶片之相对 座标;以及 进行一第二微影制程,将该第二光罩上之该第二电 路图形转移至该半导体晶片上,并同时将该第二光 罩对准记号之图形转移至该半导体晶片上,以于该 次要图案区域上形成一由该第二晶片对准记号与 该第二光罩对准记号之图形堆叠而成之第三晶片 对准记号(third on-wafer AM)。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中该次要图案区 域系位于一切割道上。 8.如申请专利范围第6项之方法,其中各该被撷取之 对准记号的影像之撷取、转化与储存系利用一高 速之影像处理器来进行。 9.如申请专利范围第6项之方法,其中各该对准记号 之影像之撷取系利用该光罩对准机台之一录像型 光罩对准感应器来进行。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中该录像型光 罩对准感应器系利用一载子耦合装置相机来撷取 各该光罩之各该相对应之对准记号的影像。 图式简单说明: 第1图为习知光罩对准系统之操作流程图。 第2图为习知晶片对准系统之操作流程图。 第3a图为一正常之对准记号由FIA、LSA与LIA感应器 所撷取与转换而得讯号之示意图。 第3b图为一受制程变异而损坏之对准记号由FIA、 LSA与LIA感应器所撷取与转换而得讯号之示意图。 第4图为本发明之光罩对准程序之操作流程图。 |
