| 主权项 |
1.一种近红外线吸收薄膜,其包括在透明基材薄膜 上设置有由含有在波长800~1200nm具有极大吸收之近 红外线吸收色素与树脂的组成物所成之近红外线 吸收层,其特征为在该组成物中含有0.01~2.0质量%之 HLB値为2~12的界面活性剂。 2.如申请专利范围第1项之近红外线吸收薄膜,其中 界面活性剂为聚矽氧烷系界面活性剂或氟系界面 活性剂。 3.如申请专利范围第1项之近红外线吸收薄膜,其中 近红外线吸收层更含有在波长550~620nm具有极大吸 收之颜色修正色素。 4.如申请专利范围第1项之近红外线吸收薄膜,其中 近红外线吸收色素包含芳香族二亚铵盐系化合物 。 5.如申请专利范围第1项之近红外线吸收薄膜,其中 透明基材薄膜由至少3层以上之积层薄膜所成,具 有紫外线吸收剂之层设置于表层外之中间部。 6.如申请专利范围第1项之近红外线吸收薄膜,其中 近红外线吸收层系隔着以酸价为200eq/t以上之黏合 性改质树脂当作主成份的黏合性改质层而形成在 透明基材薄膜上。 7.如申请专利范围第6项之近红外线吸收薄膜,其中 黏合性改质树脂系为在聚酯系树脂中以具有至少1 个双键之酸酐接枝所成的聚酯系接枝共聚物。 8.如申请专利范围第1项之近红外线吸收薄膜,其在 450~650nm波长范围光之透过率为55%以上,且在820~ 1100 nm波长范围光之透过率为20%以下。 9.如申请专利范围第3项之近红外线吸收薄膜,其在 550~600nm波长范围光之透过率为10~60%,且在820~ 1100nm 波长范围光之透过率为20%以下。 10.如申请专利范围第1项之近红外线吸收薄膜,其 中在透明基材薄膜上所设置的近红外线吸收层的 反面上设有抗反射层。 11.一种近红外线吸收薄膜辊,其系为将如申请专利 范围第1项之近红外线吸收薄膜卷取成长度100m以 上、宽度0.5m以上之近红外线吸收薄膜辊,其特征 为在该辊上卷取的长条状薄膜藉由下述测定法(A) 求取的色差(MD)之最大値为2.0以下, (A)进行薄膜之色调测定时,有关该薄膜之长度方向 (MD)系以薄膜物性安定的永恒不变范围之一端作为 第1端部,另一端作为第2端部时,进行第1端部内侧2m 以内之第1次测定,且同时进行第2端部内侧2m以内 之最终测定,由第1次测定处约每10m处进行测定,求 出各测定处以下述式所定义的色差E(MD), E(MD)=[(La-Lm)2+(aa-am)2+(ba-bm)2]1/2 其中,Lm、am、bm系指各测定处之色调L、a、b;La、aa 、ba系指各测定处之色调L、a、b之平均値。 12.一种近红外线吸收薄膜辊,其系为将如申请专利 范围第1项之近红外线吸收薄膜卷成长度100m以上 、宽度0.5m以上之近红外线吸收薄膜辊,其特征为 在该辊上卷取的长条状薄膜藉由下述测定法(B)求 取的色差(TD)之最大値为1.0以下, (B)进行薄膜之色调测定时,有关该薄膜之宽度方向 (TD)系以薄膜物性安定的永恒不变范围之一端作为 第1端部,另一端作为第2端部时,进行第1端部内侧0. 1m以内之第1次测定,且同时进行第2端部内侧0.1m以 内之最终测定,由第1次测定处至最终测定处之间 以大约等间隔进行3处测定,此等5处测定处以下述 式所定义的色差E(TD), E(TD)=[(La-Lm)2+(aa-am)2+(ba-bm)2]1/2 其中,Lm、am、bm系指各测定处之色调L、a、b;La、aa 、ba系指各测定处之色调L、a、b之平均値。 13.一种近红外线吸收薄膜之制法,其系为于在透明 基材薄膜上涂覆含有近红外线吸收色素、树脂、 界面活性剂及有机溶剂之涂覆液予以乾燥,形成近 红外线吸收层之近红外线吸收薄膜的制法,其特征 为使用HLB値为2~12之界面活性剂作为界面活性剂, 且该界面活性剂的含量对涂覆液之固成分而言系0 .01~2.0质量份。 14.如申请专利范围第13项之近红外线吸收薄膜之 制法,其中于涂覆涂覆液后之乾燥步骤中,藉由热 风之乾燥步骤分为2段式以上之多段式,第1段之乾 燥步骤系在20~80℃下进行10~120秒乾燥,第2段以后之 最高乾燥温度的乾燥步骤系在80~180℃下进行5秒~60 分钟乾燥。 15.如申请专利范围第13项之近红外线吸收薄膜之 制法,其中涂覆液之涂覆方法系为使用逆凹槽辊方 法。 16.如申请专利范围第15项之近红外线吸收薄膜之 制法,其中于逆凹槽辊方法中凹槽辊之直径为80mm 以下。 17.一种近红外线吸收薄膜辊之制法,其系为将在透 明基材薄膜上涂覆含有近红外线吸收色素、树脂 、界面活性剂及有机溶剂之涂覆液予以乾燥,形成 近红外线吸收层之近红外线吸收薄膜卷取成长度 100m以上,宽度0.5m以上的近红外线吸收薄膜辊之制 法,其特征为使用HLB値为2~12之界面活性剂作为界 面活性剂,且该界面活性剂对涂覆液之固成分而言 含有0.01~2.0质量份,使该涂覆液涂覆且乾燥后,测定 线上之色调及/或特定波长之光线透过率,视该测 定结果而定藉由调整涂覆液之涂覆条件及/或乾燥 条件,使藉由下述测定法(A)求取的色差(MD)之最 大値控制于2.0以下, (A)进行薄膜之色调测定时,有关该薄膜之长度方向 (MD)系以薄膜物性安定的永恒不变范围之一端作为 第1端部,另一端作为第2端部时,进行第1端部内侧2m 以内之第1次测定,且同时进行第2端部内侧2m以内 之最终测定,由第1次测定处约每10m处进行测定,求 出各测定处以下述式所定义的色差E(MD), E(MD)=[(La-Lm)2+(aa-am)2+(ba-bm)2]1/2 其中,Lm、am、bm系指各测定处之色调L、a、b;La、aa 、ba系指各测定处之色调L、a、b之平均値。 18.如申请专利范围第17项之近红外线吸收薄膜辊 之制法,其中使涂覆液之涂覆以具有凹槽辊之凹槽 辊涂覆装置进行,对薄膜之行走速度F(m/分)而言该 凹槽辊之回转速度G(m/分)的速度比G/F为0.8~1.5。 19.如申请专利范围第18项之近红外线吸收薄膜辊 之制法,其中凹槽辊涂覆装置系由具有藉由可逆回 转之凹槽辊,自液体供应帮浦供应涂覆液,藉由刮 刀以使多余的涂覆液脱落的机构所成,且至少刮刀 连接凹槽辊的部分使用陶瓷制或镍制装置。 20.一种近红外线吸收薄膜辊之制法,其系为垂于透 明基材薄膜上连续涂覆含有近红外线吸收色素、 树脂、界面活性剂及有机溶剂之涂覆液予以乾燥, 形成近红外线吸收层之近红外线吸收薄膜卷成长 度100m以上、宽度0.5m以上所成的近红外线吸收薄 膜辊的制法,其特征为使用HLB値为2~12之界面活性 剂作为界面活性剂,且该界面活性剂对涂覆液之固 成分而言含有0.01~2.0质量份,藉由使该涂覆液藉由 接触涂覆方式涂覆,在透明基材薄膜之涂覆部中薄 膜长度方向之张力为0.5N/mm2~1.2N/mm2,藉由下述测定 法(B)求取的色差(TD)之最大値控制于1.0以下,(B) 进行薄膜之色调测定时,有关该薄膜之宽度方向(TD )系以薄膜物性安定的永恒不变范围之一端作为第 1端部,另一端作为第2端部时,进行第1端部内侧0.1m 以内之第1次测定,且同时进行第2端部内侧0.1m以内 之最终测定,由第1次测定至最终测定处之间以大 约等间隔进行3处测定,求出各测定处以下述式所 定义的色差E(TD), E(TD)=[(La-Lm)2+(aa-am)2+(ba-bm)2]1/2 其中,Lm、am、bm系指各测定处之色调L、a、b;La、aa 、ba系指各测定处之色调L、a、b之平均値。 21.如申请专利范围第20项之近红外线吸收薄膜辊 之制法,其中涂覆液之涂覆系以具有凹槽辊之凹槽 辊涂覆装置来进行,对薄膜之行走速度F(m/分)而言 该凹槽辊之回转速度G(m/分)的速度比G/F为0.8~1.5。 22.如申请专利范围第21项之近红外线吸收薄膜辊 之制法,其中凹槽辊涂覆装置系由具有藉由可逆回 转之凹槽辊,自液体供应帮浦供应涂覆液,藉由刮 刀以使多余的涂覆液脱落的机构所成,且至少刮刀 连接凹槽辊的部分使用陶瓷制或镍制装置。 23.如申请专利范围第21项之近红外线吸收薄膜辊 之制法,其中于涂覆涂覆液后之乾燥步骤中,藉由 热风之乾燥步骤分为2段式以上之多段式,第1段之 乾燥步骤系在20~80℃下进行10~120秒乾燥,第2段以下 之最高乾燥温度的乾燥步骤系在80~180℃下进行5秒 ~60分钟乾燥,另外于多段式热风乾燥步骤后藉由进 行构成近红外线吸收层之树脂的玻璃转移温度以 下之风冷却的冷却步骤。 24.一种近红外线吸收滤光片,其系为设置于电浆显 示装置前面的近红外线吸收滤光片,其特征为该近 红外线吸收滤光片系使用如申请专利范围第10项 之近红外线吸收薄膜所成,该近红外线吸收薄膜之 抗反射层为表面侧,近红外线吸收层为设置于显示 装置侧所使用。 图式简单说明: 第1图系为本发明之实验5~8所使用的逆凹槽辊方式 之涂覆装置的示意图。 第2图系为本发明近红外线吸收薄膜之构成例的示 意图。 第3图系为本发明近红外线吸收薄膜之构成例的示 意图。 第4图系为本发明近红外线吸收薄膜之构成例的示 意图。 第5图系为实施例9-1-1所制作的近红外线吸收薄膜 No.1之分光特性图。 |
