| 主权项 |
1.一种奈米转印用模仁之制法,包括: 提供一具有光相变表面之基材; 对该光相变表面进行相变化,以形成至少一个第一 区域以及至少一个第二区域; 至少局部去除该等第一区域,以形成奈米图案; 利用该具有奈米图案之基材进行转印;以及 进行脱膜,以制得一模仁。 2.如申请专利范围第1项之奈米转印用模仁之制法, 其中,该基材系一矽基材。 3.如申请专利范围第1项之奈米转印用模仁之制法, 其中,该光相变表面系形成有一薄膜。 4.如申请专利范围第3项之奈米转印用模仁之制法, 其中,该薄膜系于该基材上为物理气相沈积光相变 材料所形成。 5.如申请专利范围第4项之奈米转印用模仁之制法, 其中,该物理气相沈积系为选自蒸镀(Evaporation)、 离子披覆(Ion Planting)与溅镀(Sputtering)中之一者。 6.如申请专利范围第4项之奈米转印用模仁之制法, 其中,该薄膜系为非结晶薄膜与结晶薄膜中之一者 。 7.如申请专利范围第4项之奈米转印用模仁之制法, 其中,该光相变材料系合金靶材。 8.如申请专利范围第4项之奈米转印用模仁之制法, 其中,相变化深度为选自深至基板与不及基板其中 之一者。 9.如申请专利范围第1项之奈米转印用模仁之制法, 其中,对该光相变表面进行相变化之步骤系以光源 照射该基材之光相变表面产生相变化。 10.如申请专利范围第9项之奈米转印用模仁之制法 ,其中,该光源为选自包括由g-line紫外光微影、I- line紫外光微影、氟化氪(KrF)雷射微影、氟化氩(ArF )雷射微影、氟(F2)雷射微影、以及极短紫外光(EUV) 微影所组成之群组之至少其中一者。 11.如申请专利范围第9项之奈米转印用模仁之制法 ,其中,该光源与该基材之光相变表面间复设置一 能量控制件。 12.如申请专利范围第11项之奈米转印用模仁之制 法,其中,该能量控制件为选自光罩(mask)与滤波器( filter)其中一者。 13.如申请专利范围第11项之奈米转印用模仁之制 法,其中,该能量控制件与该基材之光相变表面间 复设置一能量限位件。 14.如申请专利范围第13项之奈米转印用模仁之制 法,其中,该能量限位件为物镜。 15.如申请专利范围第1项之奈米转印用模仁之制法 ,其中,该第一区域与该第二区域具有不同之物理 与化学性质。 16.如申请专利范围第1项之奈米转印用模仁之制法 ,其中,于该至少局部去除该等第一区域之步骤中 系采蚀刻(etching)方式。 17.如申请专利范围第1项之奈米转印用模仁之制法 ,其中,于该利用该具有奈米图案之基材进行转印 之步骤前复可加入于该奈米图案上设置一抗黏层 之步骤。 18.如申请专利范围第17项之奈米转印用模仁之制 法,其中,系采涂布(coating)或气相沉积(vapor phase deposition)之方式设置该抗黏层。 19.如申请专利范围第1项之奈米转印用模仁之制法 ,其中,于该利用该具有奈米图案之基材进行转印 之步骤中系于该奈米图案上旋转涂布一光阻层,并 进行曝光。 20.如申请专利范围第19项之奈米转印用模仁之制 法,其中,该光阻层为选自包括由紫外光硬化(UV- curable)光阻、热硬化(thermal-curable)树脂、以及热交 联(thermal-crosslink)树脂所组成之群组之其中一者。 21.如申请专利范围第1项之奈米转印用模仁之制法 ,其中,该利用该具有奈米图案之基材进行转印之 步骤系将形成奈米图案以及光阻层之同一基材进 行转印。 图式简单说明: 第1A至第1F图系显示本发明之第一实施例的奈米转 印用模仁之制法之制程示意图; 第2A至第2C图系第一实施例之制法的变化例,其中 第2A以及第2B图系显示光源之应用变化例,第2C图则 系显示第一实施例应用微影用驱动系统之示意图; 第3A至第3D图系显示本发明之第二实施例的奈米转 印用模仁之制法之制程示意图; 第4A至第4C图系显示本发明之第三实施例的奈米转 印用模仁之制法之制程示意图;以及 第5A至第5D图系显示习知技术之奈米转印用模仁之 制法的制程示意图。 |
