发明名称 制造金属氧化物薄膜之方法及在气体放电管中形成二次电子发射薄膜之方法
摘要 根据本发明,其系提供一种制造金属氧化薄膜之方法包括,当对被形成在管内壁之含有有机金属化合物之涂层薄膜进行热处理以制造金属氧化薄膜时,在热处理之前或同时对涂层薄膜进行紫外线照射处理或臭氧处理。
申请公布号 TWI248914 申请公布日期 2006.02.11
申请号 TW092120984 申请日期 2003.07.31
申请人 富士通股份有限公司 发明人 山田齐;渡海章;石本学;中泽明;粟本健司;筱田传
分类号 C01B13/14;C03C17/27 主分类号 C01B13/14
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种制造金属氧化物薄膜之方法,其包含,当对被 形成在一管内壁之含有脂肪酸和金属之盐类的涂 层薄膜进行热处理,以形成一金属氧化物薄膜时, 在热处理之前或同时对该涂层薄膜进行紫外线照 射处理或臭氧处理。 2.如申请专利范围第1项之制造金属氧化物薄膜的 方法,其中在热处理之前进行紫外线照射处理或臭 氧处理且同时进行涂层薄膜乾燥制程。 3.如申请专利范围第1项之制造金属氧化物薄膜的 方法,其中该紫外线照射处理系经由一具有预定图 型的光罩来进行。 4.如申请专利范围第1项之制造金属氧化物薄膜的 方法,其中该管具有一在0.5至2mm之范围内的开口尺 寸,以及一在30cm至3m之范围内的长度。 5.一种形成一气体放电管的二次电子发射薄膜之 方法,其包含,当对被形成在一玻璃管内壁之含有 脂肪酸和金属之盐类的涂层薄膜进行热处理,以形 成一由金属氧化物薄膜形成之二次电子发射薄膜 时,在热处理之前或同时对该涂层薄膜进行紫外线 照射处理或臭氧处理,其中该玻璃管为内径不超过 2mm之细长的玻璃管。 图式简单说明: 第1(a)-(d)图为制造本发明的金属氧化薄膜方法之 说明示意图; 第2(a)-(d)图为制造本发明的金属氧化薄膜方法之 说明示意图; 第3(a)和(b)图为制造本发明的金属氧化薄膜方法之 说明示意图; 第4图为制造本发明的金属氧化薄膜方法使用设备 之说明示意图; 第5图表示显示装置的例子之说明图,以本发明的 方法使用形成在内壁上具有二次电子发射薄膜之 气体放电管。
地址 日本