| 主权项 |
1.一种可降低树脂附着之半导体封装模具表面结 构,其特征系在于该封装模具表面更设有一层钻膜 ,用以藉由该钻膜表面摩擦系数甚低之特性使封装 模具脱模时不易为树脂所沾黏,俾易于脱模者。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体封装模具表 面结构,其中该钻膜系钻石膜(Diamond)。 3.如申请专利范围第1或2项所述之半导体封装模具 表面结构,其中该钻膜系类钻碳膜(Diamond like carbon, DLC)。 4.如申请专利范围第1项所述之半导体封装模具表 面结构,其中该钻膜系以化学气相沉积法(Chemical Vaporize Deposition, CVD)设于封装模具表面。 5.如申请专利范围第1项所述之半导体封装模具表 面结构,其中该钻膜系以物理气相沉积法(Physical Vaporize Deposition, PVD)设于封装模具表面。 6.如申请专利范围第1项所述之半导体封装模具表 面结构,其中该钻膜与封装模具之间更镀有一接合 层,用以可增加该钻膜之附着性。 7.如申请专利范围第6项所述之半导体封装模具表 面结构,其中该接合层系金属层。 8.如申请专利范围第6项所述之半导体封装模具表 面结构,其中该接合层系陶瓷层。 9.如申请专利范围第1项所述之半导体封装模具表 面结构,其中该钻膜表面更予以钝化处理。 10.如申请专利范围第9项所述之半导体封装模具表 面结构,其中该钻膜表面系以电浆表面处理法予以 钝化处理。 11.如申请专利范围第9项所述之半导体封装模具表 面结构,其中该钻膜表面系以热处理法予以钝化处 理。 12.如申请专利范围第1项所述之半导体封装模具表 面结构,其中该钻膜形成过程更渗入钝化处理之气 体。 13.如申请专利范围第12项所述之半导体封装模具 表面结构,其中该气体系氮、氟、氢、氧气或其混 合物。 14.如申请专利范围第10、11或12项所述之半导体封 装模具表面结构,其中该钝化处理系指降低封装模 具表面与树酯附着之表面活性。 图式简单说明: 第一图系本创作一较佳实施例之半导体封装模具 断面示意图。 第二图系本创作另一较佳实施例半导体封装模具 之钻模表面更利用气体钝化之示意图。 第三图系本创作再一较佳实施例之半导体封装模 具断面示意图。 第四图系本创作又一较佳实施例半导体封装模具 之钻模表面更利用气体钝化之示意图。 |
