发明名称 开关电路
摘要 为提供一种开关电路,系具备能以高速之即时波形之形态检测出主开关电流波形、并以低阻抗输出之电流检测电路。该开关电路系具备以导通电压来显示电阻特性之主开关Q1,该主开关Q1之闸极与驱动电路4连接,而汲极或是源极之一方连接到固定电位3,另一方连接到负载电路2,其特征为,设有电流检测电路,其系包含:第1电阻元件R1,系具有比连接到固定电位3之主开关Q1之导通电阻还要高的电阻值;辅助开关Q2,系将该第1电阻元件 R1连接至源极;放大器Amp,系用来比较放大第1电阻元件R1所产生之电压与主开关Q1之导通电压,并输出至辅助开关Q2之闸极;以及第2电阻元件R2,系连接到辅助开关Q2之汲极,将主开关Q1之导通电流放大并产生电压。
申请公布号 TWI249090 申请公布日期 2006.02.11
申请号 TW092134542 申请日期 2003.12.08
申请人 新电元工业股份有限公司 发明人 久保田健一;大岛正树;野崎幸弘;芳贺浩之;林贤知
分类号 G05F1/10;H03K17/687 主分类号 G05F1/10
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种开关电路,系具有开关元件,其特征在于:系 具备由以导通电压来显示电阻特性之MOSFET所构成 之主开关,于该主开关之闸极电极连接驱动电路, 且将该主开关之汲极或源极之一方连接于固定电 位,另一方连接到负载电路;并且,设有电流检测电 路,其系具备: 第1电阻元件,系具有较该主开关之导通电阻高的 电阻値; 辅助开关,系将该第1电阻元件连接至源极之由 MOSFET所构成者: 放大器,系将该第1电阻元件所产生之电压与该主 开关之导通电压加以比较放大,并输出至该辅助开 关之闸极; 第2电阻元件,系连接于该辅助开关之汲极,将该主 开关之导通电流放大,并产生电压;以及 第3开关,连接在该第1电阻元件与辅助开关之间,且 其闸极信号与该主开关之闸极信号同步。 2.如专利申请范围第1项之开关电路,其中,该第1电 阻元件之一端子与该主开关同样地连接于固定电 位。 3.如申请专利范围第1或2项之开关电路,其中,该第1 电阻元件之一端子系连接于该主开关之负载电路 连接端子,该第1电阻元件之另一端子则连接于该 辅助开关之源极。 4.如申请专利范围第1项之开关电路,其中,该第1电 阻元件,系与该主开关具有相同单元构造而固定闸 极偏压之MOSFET,或是多晶矽电阻。 5.如专利申请范围第4项之开关电路,其中,该第1电 阻元件之一端子与该主开关同样地连接于固定电 位。 6.如专利申请范围第4或5项之开关电路,其中,该第1 电阻元件之一端子与该主开关之负载电路连接端 子连接,该第1电阻元件之另一端子则与该辅助开 关之源极连接。 图式简单说明: 图1为表示本发明开关电路之第1实施例概要之电 路图。 图2为表示本发明开关电路之第2实施例概要之电 路图。 图3为表示本发明开关电路之第3实施例概要之电 路图。 图4为第3实施例之动作波形图。 图5为表示本发明开关电路之第4实施例概要之电 路图。 图6为表示本发明开关电路之第5实施例概要之电 路图。 图7为表示本发明开关电路之第6实施例概要之电 路图。 图8为表示本发明开关电路之第7实施例概要之电 路图。 图9为表示本发明开关电路之第8实施例概要之电 路图。 图10表示开关电路之第1习知例概要之电路图。 图11为表示开关电路之第2习知例概要之电路图。
地址 日本