| 主权项 |
1.一种含有含氟化合物之废气之处理方法,包括下 述步骤:使含有含氟化合物之废气与在氧化铝-锆 复合氧化物上载有氧化钨之金属触媒接触,然后使 放出物与r-氧化铝触媒接触,其中,该废气与该金属 触媒及该氧化铝触媒的接触系在600至900℃之温度 下进行。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中,在与该金属 触媒及该氧化铝触媒接触之前将作为裂解辅助气 体之O2及H2O添加至废气中。 3.如申请专利范围第1项或第2项之方法,其中,该r- 氧化铝具有以X-光绕射仪测得之于下述五个绕射 角度2,331,371,401461及671出现100或更大 强度之绕射线的结晶结构。 4.一种含有含氟化合物之废气之处理装置,包括:包 括填充着在氧化铝-锆复合氧化物上载有氧化钨之 裂解触媒之金属触媒床及放置在该金属触媒床之 下游且填充着r-氧化铝之氧化铝触媒床的反应容 器、用以导入含有含氟化合物之废气的导入机构 、用以自反应容器排出该气体的机构、及用以加 热该废气的机构。 5.如申请专利范围第4项之装置,其中,该装置系备 有添加作为裂解辅助气体之O2及H2O至该废气中的 机构。 6.如申请专利范围第4项或第5项之装置,其中,该r- 氧化铝具有以X-光绕射仪测得之于下述五个绕射 角度2,331,371,401461及671出现100或更大 强度之绕射线的结晶结构。 图式简单说明: 第1图显示依据本发明之一方面之含有CF4之废气之 处理装置的概念图。 |
