Verfahren zur Erzeugung eines Dielektrikums und Halbleiterstruktur

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung eines Dielektrikums auf einem Halbleiterkörper mit den nacheinander vorzunehmenden Schritten: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers, Aufbringen einer dielektrischen Schicht auf zumindest Teilen einer ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers, derart, dass zumindest teilweise eine Grenzfläche zwischen der dielektrischen Schicht und dem Halbleiterkörper ausgebildet wird, und thermisches Annealen des Halbleiterkörpers und der dielektrischen Schicht. Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass zeitlich vor dem Annealen zur Verbesserung der Absättigung und der elektrischen Eigenschaften fluorhaltige Teilchen in an die Grenzfläche angrenzende Bereiche des Halbleiterkörpers und/oder der dielektrischen Schicht eingebracht werden. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner eine entsprechende Halbleiterstruktur.