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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur photolithographischen Projektion eines Musters auf einen Halbleiterwafer mit einer alternierenden Phasenmaske. Gemäß der Erfindung erfolgt ein photolithographisches Strukturieren der Resistschicht (14) mit einem Muster (30) auf der alternierenden Phasenmaske (18) mittels eines Belichtungsgeräts (5), um eine dem Muster (30) entsprechende Resiststruktur zu bilden. Das Muster weist erste linienförmige Strukturelemente (35) mit einer ersten Linienbreite (36) und einem Mittelpunktsabstand (37) auf, die so gewählt werden, dass die mit den ersten linienförmigen Strukturen (35) korrespondierenden Elemente der Resiststruktur eine Breite, die ungefähr der Strukturauflösung des Belichtungsgeräts (5) entspricht, und einen Mittelpunktsabstand aufweisen, der ungefähr der doppelten Strukturauflösung des Belichtungsgeräts (5) entspricht. Ein erster Abstand (62) zu einem die linienförmigen Strukturelemente begrenzenden Strukturelement wird so gewählt, dass die Breite des mit dem absorberfreien ersten Teilbereich (64) korrespondierenden Bereichs der Resiststruktur weniger als die vierfache Strukturauflösung des Belichtungsgeräts (5) beträgt.
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