发明名称 GROWTH METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND MANUFACTURATION METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20060012806(A) 申请公布日期 2006.02.09
申请号 KR20040061457 申请日期 2004.08.04
申请人 SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD. 发明人 LEE, JAE HOON;KIM, YONG CHUN
分类号 H01L33/12 主分类号 H01L33/12
代理机构 代理人
主权项
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