少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ族材料を含有する基板または層を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物を使用する方法

摘要

１種または複数のＩＩＩ−Ｖ族材料を含有する基板または層を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物を使用する方法であって、化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物が以下の構成成分：（Ａ）２〜６の範囲のｐＨにおいて−１５ｍＶ以下の負のゼータ電位を有する表面修飾シリカ粒子（Ｂ）（ｉ）トリアゾール環にアニールされた芳香環を有さない置換および非置換トリアゾール、（ｉｉ）ベンゾイミダゾール、（ｉｉｉ）２個以上のカルボキシル基を有するアミノ酸、脂肪族カルボン酸、およびこれらのそれぞれの塩からなる群から選択されるキレート化剤、ならびに（ｉｖ）アクリル酸、およびこれらのそれぞれの塩のホモポリマーおよびコポリマーからなる群から選択される１種または複数の成分、（Ｃ）水（Ｄ）任意に、１種または複数の他の成分を含み、組成物のｐＨが２〜６の範囲である、方法が記載される。