| 发明名称 | 形成高质量的低温氮化硅层的方法和设备 | ||
| 摘要 | 本发明描述了形成氮化硅层的方法。根据本发明，通过在低沉积温度下(例如，小于550℃)热分解含硅/氮源气体，或含硅源气体和含氮源气体形成氮化硅层。该热沉积氮化硅层然后用氢自由基处理，以形成处理过的氮化硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN1732288A | 申请公布日期 | 2006.02.08 |
| 申请号 | CN200380107849.9 | 申请日期 | 2003.12.19 |
| 申请人 | 应用材料有限公司 | 发明人 | S·王;E·A·C·桑柴兹;A·(史蒂文)·陈 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01);C23C16/56(2006.01);H01L21/30(2006.01) | 主分类号 | C23C16/34(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种加工衬底的方法，包括：加热衬底至550℃或更低的温度；热分解含硅和氮源气体，或含硅源气体和含氮源气体，以在所述衬底表面上沉积氮化硅层；将所述氮化硅层暴露于氢自由基。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||