METHOD PROVIDING AN IMPROVED BI-LAYER PHOTORESIST PATTERN,申请号EP20040751274-传众专利搜索

发明名称	METHOD PROVIDING AN IMPROVED BI-LAYER PHOTORESIST PATTERN
摘要
申请公布号	EP1623275(A2)	申请公布日期	2006.02.08
申请号	EP20040751274	申请日期	2004.04.29
申请人	LAM RESEARCH CORPORATION	发明人	XIAO, HANZHONG;ZHU, HELEN, H.;TANG, KUO-LUNG;SADJADI, S.M., REZA
分类号	G03F7/09;G03F7/36;H01L21/027;H01L21/033;H01L21/311;H01L21/768;(IPC1-7):G03F7/09	主分类号	G03F7/09
代理机构		代理人
主权项
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