具有氧化物凸缘应用的STI的原地和异地腐蚀方法

摘要

公开了在集成电路结构中腐蚀出沟沟道的一种方法或者工艺。这种集成电路结构可以包括互相邻近的多种不同的组成材料，需要将它们全部腐蚀到一个目标深度。应用第一种腐蚀化学药品，它能够优选腐蚀一种组成材料。应用第二种腐蚀化学药品，它能够优选腐蚀另一种组成材料。这一方法或者工艺来回使用这些腐蚀化学药品，直到达到目标深度。这种倒换技术能够保持不同组成材料的侧面形状。还可以将一种组成材料嵌入在另一种组成材料周围，作为领状体或者其它形状。这种倒换技术还能够调整一种材料相对于另一种材料的高度、深度或者形状。这种倒换步骤能够在本地进行，也可以异地进行。这种倒换技术能够与不同的掩膜材料一起使用，包括集成电路结构上的光致抗蚀剂或者硬掩膜。

主权项

1.一种用于把包括多种不同类型组成材料的集成电路结构的一部分腐蚀到一个目标深度的方法，该方法包括：(i)应用一种类型的腐蚀化学药品来腐蚀所述多种组成材料中的一个种类型的组成材料；(ii)应用另一种类型的腐蚀化学药品来腐蚀所述多种组成材料中的其余类型的组成材料；以及重复步骤(i)和(ii)，直到达到所述目标深度，其中通过来回倒换使用这些腐蚀化学药品，相对于一种类型的组成材料来在高度上调整另一种类型的组成材料，并且维持所述集成电路结构及其组成材料区域的外形。