| 发明名称 | 通过外延形成半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种形成半导体结构的方法。根据该方法，其上布置有牺牲层(103)并在牺牲层(103)上布置有薄的单晶半导体层(105)的半导体衬底(101)被提供。然后贯穿半导体层(105)并进入牺牲层(103)的开口(107)被形成。然后半导体层(105)外延生长至合适的器件厚度，从而获得器件层。半导体层被生长，使得所得到的器件层在开口(107)上延伸，并且使得在开口上延伸的器件层部分的表面是单晶硅。 | ||
| 申请公布号 | CN1732123A | 申请公布日期 | 2006.02.08 |
| 申请号 | CN200380107421.4 | 申请日期 | 2003.10.23 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 比什努·戈戈伊 |
| 分类号 | B81B3/00(2006.01);B81C1/00(2006.01) | 主分类号 | B81B3/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体结构的方法，包括步骤：提供包括衬底和单晶半导体层并在衬底及半导体层之间布置有牺牲层的产品；形成贯穿半导体层并进入牺牲层的开口；以及将半导体层外延生长至合适的器件厚度，从而形成器件层；其中半导体层被生长，使得所得到的器件层在开口上延伸，并且其中在开口上延伸的器件层部分的表面是单晶硅。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||