双金属与陶瓷组成的功率半导体及其制造方法

摘要

本发明涉及一种功率半导体，尤指一种利用双金属与陶瓷为基材组成的功率半导体结构。该功率半导体主要是将预设有容置槽的陶瓷基板表面金属化，并且将延伸有接脚的两片金属基板分别置于陶瓷基板两侧后，将芯片置入陶瓷基板的容置槽，使金属基板与陶瓷基板共烧结，即可构成一双金属与陶瓷组成的功率半导体构造。本发明的陶瓷基板的热传导效率较环氧树脂佳，封存的热能也大为降低，而且两片金属基板的散热面积最少为传统的两倍，藉此可使本发明双金属与陶瓷共烧结的功率半导体得以长期使用于高温环境中，并增加使用寿命。

主权项

1、一种双金属与陶瓷组成的功率半导体，其特征在于，该功率半导体由硅芯片、陶瓷基板以及双金属基板所构成，其中：陶瓷基板上至少设有一用以容设硅芯片的容置槽，陶瓷基板两侧以高温烧结方式分别与双金属基板相接合，使硅芯片两侧分别与金属基板相互接设导通，同时各金属基板上皆延伸有接脚。