| 发明名称 | 导热增强的半导体结构和制造过程 | ||
| 摘要 | 在制造选择的电子元件期间，硅被形成在基片的选择的位置处。介质分开的区域被形成在顶部硅层内，以及被填充以导热材料。垫在沉积导热材料之前，衬垫材料可任选地被沉积。在第二实施例中，导热材料的水平层也被沉积在氧化物层或在硅的顶层下面的体硅片上。 | ||
| 申请公布号 | CN1241260C | 申请公布日期 | 2006.02.08 |
| 申请号 | CN01110862.2 | 申请日期 | 2001.02.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 小R·J·戈捷;D·J·谢皮斯;W·R·通蒂;S·H·沃德曼 |
| 分类号 | H01L23/34(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L23/34(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 罗朋;傅康 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：绝缘体上的硅类型基片；在基片上形成的热产生设备；在基片上靠近热产生设备的沟槽绝缘区域，所述沟槽绝缘区域向下至少延伸到SOI类型基片的绝缘层，所述沟槽绝缘区域包括只用于热耗散的导热材料以及在导热材料与基片之间的沟槽绝缘材料，所述导热材料临近所述热产生设备。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||