能高速读出数据且工作稳定的薄膜磁性体存储装置

摘要

对应于选择列的两条互补的位线BL、/BL，经由被选择的MTJ存储单元与假存储单元DMC各一个下拉至接地电压，同时经由读出驱动器选择门RCDG上拉至电源电压。对应于选择列的读出门RG，以与其所对应的两条互补位线的电压相应的驱动力，分别驱动两条互补的读出数据总线RDB、/RDB。数据读出电路51R，基于两条互补的读出数据总线的电压差进行数据读出。电源电压，基于对MTJ存储单元的隧道绝缘膜可靠性的考虑加以确定。

主权项

1.一种薄膜磁性体存储装置，其中设有：行列状设置的多个存储单元，各所述存储单元包含：通过由数据写入电流产生的磁场在与存储数据的级相应的方向上磁化，同时按照所述磁化方向改变电阻的磁性存储部分，以及数据读出时有选择地导通的、使数据读出电流流入所述磁性存储部分的存取门；所述薄膜磁性体存储装置还设有：为了传送与所述存储数据的级相应的电信号，分别对应于存储单元列设置的多条位线；用以在选择存储单元之间传送读出数据的多条读出数据线；用以在选择存储单元之间传送写入数据的多条写入数据线；用以控制数据读出和数据写入的控制电路；根据所述控制电路的指示，经所述多条读出数据线从所述选择存储单元读出所述读出数据的数据读出电路；以及根据所述控制电路的指示，经所述多条写入数据线向所述选择存储单元写入所述写入数据的数据写入电路；所述控制电路在所述数据读出时，向所述数据读出电路指示来自M个所述选择存储单元的并行数据读出，其中M为不小于2的整数；另一方面，在所述数据写入时，向所述数据写入电路指示对N个所述选择存储单元的并行数据写入，其中N小于M。