发明名称 |
单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法 |
摘要 |
一种单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法,将表面经过处理的单晶硅片作为基底材料,在其表面采用自组装方法制备巯基硅烷,然后用溶胶-凝胶法在其表面制备含有稀土元素的纳米薄膜。首先将单晶硅片放入王水中进行预处理,清洗后置入羟基化溶液在室温下进行处理,然后再浸入巯基硅烷溶液中,静置6~8小时后取出,冲洗后用氮气吹干置于配制好的溶胶溶液中静置,提拉,然后干燥,或者重复上述操作制备多层薄膜;把覆有复合薄膜的单晶硅片放入马弗炉保温,缓慢升温至500℃,在炉内自然冷却至室温即可得到稀土纳米薄膜。本发明工艺方法简单,可以将摩擦系数从无膜时的0.8降低到0.1,具有十分明显的减摩作用。 |
申请公布号 |
CN1730377A |
申请公布日期 |
2006.02.08 |
申请号 |
CN200510027350.8 |
申请日期 |
2005.06.30 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
程先华;白涛 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01);C10M105/76(2006.01);C10N50/08(2006.01) |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01) |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
毛翠莹 |
主权项 |
1、一种单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法,其特征在于包括如下步骤:1)将单晶硅片浸泡在王水中加热5~6小时,在室温中自然冷却,然后取出用去离子水冲洗,干燥后浸于体积比为H2SO4∶H2O2=70∶30的溶液中,于室温下处理1小时,用去离子水超声清洗后放在防尘装置内在烘箱中干燥,再将处理后的单晶硅片浸入巯基硅烷浓度为0.1~1.0mmol/L的苯溶液中,静置6~8小时取出,冲洗后用氮气吹干,得到表面组装有巯基硅烷薄膜的单晶硅片;2)配制溶胶溶液∶溶胶溶液各组分摩尔比为:钛酸盐1,乙醇4~5,二乙醇胺1~1.2,乙醇水溶液1~2,稀土化合物0.1~0.3,二甲基甲酰胺0.01~0.02;将钛酸盐溶于乙醇,再加入二乙醇胺作为螯合剂,室温下用磁力搅拌器搅拌混合均匀,再采用滴加方式加入乙醇水溶液,水解温度取20℃,加入稀土化合物搅拌1~2小时,最后加入二甲基甲酰胺,得到含有稀土元素的溶胶溶液;其中,乙醇水溶液由体积比为1∶9的水和无水乙醇配制而成;3)将表面组装有巯基硅烷薄膜的单晶硅片浸入配制好的溶胶溶液中,静置五分钟后,以6cm/分钟的速度向上提拉单晶硅片,然后在干燥器中静置10分钟,放入温度为120℃~150℃的烘箱中干燥1~2小时,使单晶硅片表面的溶胶干燥,或者重复上述操作制备多层薄膜;4)把步骤3得到的覆有薄膜的单晶硅片放入马弗炉,在120℃保温30分钟,以3℃/分钟的速度缓慢升温至500℃,保温1小时在炉内自然冷却至室温,即得到巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜。 |
地址 |
200240上海市闵行区东川路800号 |