用于完全耗尽SOI器件的LOCOS隔离

摘要

本发明揭示了一种方法，它包括：提供一个衬底；在衬底上形成一氧化物埋层；在氧化物埋层上形成一薄硅体层，薄硅体层的厚度为3－40纳米；在薄硅体层上形成一垫氧化物层；在垫氧化物层上形成一氮化硅层；在氮化硅层上形成一层光刻胶；在光刻胶中形成一窗口；移除窗口中的氮化硅层；部分地或者全部地移除窗口中的垫氧化物层；移除氮化硅层上的光刻胶；由窗口中的薄硅体层形成场氧化物层；移除垫氧化物层上的氮化硅层；和移除薄硅体层上的垫氧化物层。本发明还揭示了一种结构，它包括：一衬底；衬底上的氧化物埋层；氧化物埋层上的薄硅体层，薄硅体层包括被隔离区分隔开的有源区，隔离区具有长度为薄硅体层厚度的30－60％的改良型鸟喙；以及位于每个有源区内的一完全耗尽器件。

主权项

1.一种方法，它包括：设置一衬底；在所述衬底上形成一氧化物埋层；在所述氧化埋层上形成一薄硅体层，所述薄硅体层的厚度为3-40纳米；在所述薄硅体层上形成一垫氧化物层；在所述垫氧化物层上形成一氮化硅层；在所述氮化硅上形成光刻胶；在所述光刻胶层中形成一窗口；移除在所述窗口中所述氮化硅层；部分地或者全部地移除所述窗口内的所述垫氧化物层；移除所述氮化硅层上的所述光刻胶；从在所述窗口中的所述薄硅体层形成场氧化物层；移除所述垫氧化物层上的所述氮化硅层；以及移除所述薄硅体层上的所述垫氧化物层。