发明名称 |
极紫外线磁性对比光刻掩模及其制法 |
摘要 |
本发明提供了一种EUV光刻掩模、其制造方法与其使用方法。本发明的一较佳实施例包含了一衬底、配置在所述衬底上的一布拉格反射器、配置在所述布拉格反射器上的一缓冲层、以及配置在所述缓冲层上的一吸收层;所述掩模中的材料具有选择磁性质;在一较佳实施例中,所述缓冲层是一硬磁材料,而所述吸收层是一软磁材料。另一较佳实施例则包含了一种掩模制造方法,其更包含一掩模步骤。在一较佳实施例中,则利用电子镜显微镜而显影出掩模在施加磁场中的磁性质相关型态以检测所述掩模。 |
申请公布号 |
CN1731278A |
申请公布日期 |
2006.02.08 |
申请号 |
CN200510091072.2 |
申请日期 |
2005.08.05 |
申请人 |
因芬尼昂技术股份公司 |
发明人 |
S·施瓦兹;S·沃尔姆 |
分类号 |
G03F1/14(2006.01);G03F7/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F1/14(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
程天正;梁永 |
主权项 |
1.一种光刻掩模,其包含:一衬底;一布拉格反射器,其配置在所述衬底上;一缓冲层,其配置在所述布拉格反射器上;以及一吸收层,其配置在所述缓冲层上,其中所述布拉格反射器,所述缓冲层,所述吸收层与盖层至少其一是一种磁性材料,以增加检测对比度。 |
地址 |
德国慕尼黑 |