| 发明名称 | 氮化物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有出色特性的氮化物半导体器件以及该氮化物半导体器件的制造方法，该器件具有通过选择性生长生长成三维形状的器件结构。根据本发明的氮化物半导体器件包括一生长为三维形状的晶体层，该晶体层具有一侧面部分(16s)和一上层部分(16t)，其中一电极层(21)经一高电阻区形成于该上层部分上，该高电阻区通过一未掺杂氮化镓层(17)等而形成。由于该高电阻区是设置于上层部分(16t)之上，使得电流绕过该上层部分(16t)的该高电阻区流动，从而形成了避过该上层部分(16t)而主要是沿侧面部分(16s)延伸的电流通路，从而抑制了结晶度差的该上层部分(16t)中的电流。 | ||
| 申请公布号 | CN1241272C | 申请公布日期 | 2006.02.08 |
| 申请号 | CN02803189.X | 申请日期 | 2002.08.21 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 琵琶刚志;奥山浩之;土居正人;大畑丰治 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体器件，其包括一晶体层，该晶体层生长为具有一侧面部分和一上层部分的三维形状，其中一电极层经一高电阻区形成于所述上层部分上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||