| 发明名称 | 射频器件产品的通孔刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种射频器件产品的通孔刻蚀方法，旨在提供一种刻蚀效率高且效果好的射频器件产品的通孔刻蚀方法。其技术方案的要点是：第一步，进行顶层氮氧化硅的刻蚀，将该层膜刻蚀干净；第二步，进行氧化膜的主刻蚀，追加50％的过刻蚀，以确保硅片面内每个接触孔都打开；第三步，对底部氮化硅进行刻蚀，调整三氟甲烷和氧气的比例，加上氩气稀释，选择对氧化膜高的刻蚀速率选择比去除氮氧化硅，使孔停在下层氮化钛中。 | ||
| 申请公布号 | CN1731286A | 申请公布日期 | 2006.02.08 |
| 申请号 | CN200410053418.5 | 申请日期 | 2004.08.04 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 吕煜坤 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种射频器件产品的通孔刻蚀方法，其特征在于：第一步，进行顶层氮氧化硅的刻蚀，将该层膜刻蚀干净；第二步，进行氧化膜的主刻蚀，追加50％的过刻蚀，以确保硅片面内每个接触孔都打开；第三步，对底部氮化硅进行刻蚀，调整三氟甲烷和氧气的比例，加上氩气稀释，选择对氧化膜高的刻蚀速率选择比去除氮氧化硅，使孔停在下层氮化钛中。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东川桥路1188号 | ||