| 发明名称 | 像素电极开关元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种适用于显示器的像素电极开关元件及其制造方法，该制造方法包括：形成一栅极于部分的一基板上方。形成一半导体层于该栅极上方。形成一源/漏极于部分该半导体层上方。其中，还包括形成一低介电常数材料层于该栅极与该半导体层之间以及/或位于该源/漏极上方，且该低介电常数材料层包括含碳氢的非晶硅化物(a－SiC:H)或含碳氢氮的非晶硅化物(a－SiCN:H)。 | ||
| 申请公布号 | CN1731261A | 申请公布日期 | 2006.02.08 |
| 申请号 | CN200510089435.9 | 申请日期 | 2005.08.10 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 方国龙;蔡文庆;林汉涂 |
| 分类号 | G02F1/1368(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | G02F1/1368(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种像素电极开关元件，适用于显示器，包括：栅极，位于基板的一部分的上方；半导体层，位于该栅极上方；源/漏极，位于部分该半导体层上方；以及位于该栅极与该半导体层之间的栅极绝缘层，其中该栅极绝缘层为包括含碳氢的非晶硅化物或含碳氢氮的非晶硅化物的低介电常数材料。 | ||
| 地址 | 台湾新竹市 | ||