| 发明名称 | 把金属和超低K值电介质集成 | ||
| 摘要 | 形成一种半导体晶片(100)的层，一电介质层淀积在该半导体晶片上。电介质层(204)包括具有低介电常数的材料。凹区(210)和非凹区(211)形成在电介质层中覆盖非凹区。然后金属层被电抛光以除去覆盖在非凹区上的金属层，留下凹区中的金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN1732561A | 申请公布日期 | 2006.02.08 |
| 申请号 | CN01815862.5 | 申请日期 | 2001.09.18 |
| 申请人 | ACM研究公司 | 发明人 | 王晖 |
| 分类号 | H01L21/44(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/469(2006.01) | 主分类号 | H01L21/44(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.形成半导体晶片的一个层的一种方法，包含：淀积一电介质层，其中该电介质层包括具有低介电常数的材料；在电介质层内形成凹区和非凹区；在电介质层上淀积一金属层以填充凹区并覆盖非凹区；以及对金属层进行电抛光，以除去覆盖在非凹区上的金属层同时保留在凹区内的金属层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||