发明名称 大面积微压印专用超平整度软模具的制作方法
摘要 本发明公开了一种大面积微压印专用超平整度软模具的制作方法,该方法采用光刻和其配套的刻蚀工艺在石英基板的表面上制作多层套印所需的金属对准标记和微结构图型,其中金属的套印对准标记与待转移的模具胶层表面微结构图型不处于同一平面;本发明制备的大面积微压印专用超平整度软模具包括石英基板、石英基板表面的金属套刻对准标记、石英基板表面的助粘剂、超平整度的模具工作胶层、模具工作胶层表面的微结构图型。用于进行分区步进式的UV固化压印光刻,并可利用石英基板上高明暗对比度的对准标记来实现多层套印,制作出复杂结构的各种微纳米器件。
申请公布号 CN1731281A 申请公布日期 2006.02.08
申请号 CN200510043071.0 申请日期 2005.08.08
申请人 西安交通大学 发明人 丁玉成;刘红忠;李寒松;段玉岗;刘志刚;卢秉恒
分类号 G03F7/00(2006.01);G03F7/16(2006.01);G03F9/00(2006.01) 主分类号 G03F7/00(2006.01)
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 代理人 李郑建
主权项 1.一种大面积微压印专用超平整度软模具的制备方法,该方法采用光刻和其配套的刻蚀工艺在石英基板的表面上制作多层套印所需的金属对准标记和微结构图型,其特征在于,具体包括下列步骤:1)对切割成型的石英基板进行双面研磨,使其表面达到规定的平整度和光洁度;然后通过电镀或其它金属薄膜工艺将高反射率的金属附着在石英基板表面,形成金属薄膜;2)将光刻胶涂铺在石英基板的金属薄膜表面上,待其自然流平后再经室温或加热固化,采用传统光学光刻或电子束直写光刻方式将掩模版上的套刻标记图型曝光转移到光刻胶上,然后用显影液对该光刻胶进行清洗,除掉未被曝光的空间区域材料,已曝光的光刻胶部分保留下来作为掩蔽层,通过干法或湿法刻蚀在石英基板上形成套印对准所需的金属图型,并经过后处理得到套刻对准标记;3)将含对准标记的石英基板置入盛有水银的盛槽中,使之悬浮于水银之上,在石英基板表面的中央有效压印区域通过喷涂助粘剂薄层,然后在盛槽中注入电子光刻胶或其它透明硅胶和固化剂的混合液体,其混合比例10∶1,作为模具工作胶层材料,在真空环境中使液态的模具胶层材料自然流平和固化,形成超平整度的模具工作胶层;4)以石英基板上的对准标记为基准,采用电子光刻胶和电子束直写光刻曝光系统,结合配套的显影和刻蚀工艺,最终在模具工作胶层表面生成用于压印转移的微纳米结构图型。
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