发明名称 一种微悬臂梁传感器及其制作方法
摘要 本发明涉及一种微悬臂梁传感器及其制作方法,它包括一芯片,所述芯片上设置有至少一组传感单元,所述传感单元由组成惠斯通电桥的四个完全相同的力敏电阻和两个悬臂梁组成,其中两个所述力敏电阻位于所述芯片的衬底上,另外两个电阻分别位于所述两悬臂梁上,其中一个所述悬臂梁作为测量悬臂梁,另一个所述悬臂梁作为参考悬臂梁,在所述芯片上设置有一微槽,所述悬臂梁设置在所述微槽内,所述力敏电阻的材料采用单晶硅或多晶硅,在所述单晶硅或多晶硅正面掺杂有硼离子,在所述力敏电阻上、下表面设置有氮化硅或氧化硅保护层,共同组成所述悬臂梁,所述悬臂梁上具有一窗口,使所述悬臂梁呈U形设置在所述芯片上,所述测量悬臂梁表面设置有敏感层。本发明在环境监测,临床的诊断和治疗、新药开发、食品安全、工业加工控制、军事等领域具有广泛的应用前景。
申请公布号 CN1240994C 申请公布日期 2006.02.08
申请号 CN03109491.0 申请日期 2003.04.10
申请人 北京大学 发明人 于晓梅;张大成
分类号 G01D5/12(2006.01);H01L49/00(2006.01) 主分类号 G01D5/12(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 徐宁;关畅
主权项 1、一种微悬臂梁传感器,它包括一芯片,所述芯片上设置有至少一组传感单元,所述传感单元由组成惠斯通电桥的四个完全相同的力敏电阻和两个悬臂梁组成,其中两个所述力敏电阻位于所述芯片的衬底上,另外两个分别位于所述两悬臂梁上,其中一个作为测量悬臂梁,另一个作为参考悬臂梁,其特征在于:在所述芯片上设置有一微槽,所述悬臂梁设置在所述微槽内,所述力敏电阻的材料采用单晶硅或多晶硅,在所述单晶硅或多晶硅正面掺杂有硼离子,在所述力敏电阻上、下表面设置有氮化硅或氧化硅保护层,共同组成所述悬臂梁,每一所述悬臂梁上具有一窗口,使所述悬臂梁呈U形设置在所述芯片上,所述测量悬臂梁表面设置有敏感层。
地址 100871北京市海淀区北京大学微电子学研究院