| 摘要 |
L'invention concerne un transistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique, comprenant : -des première et deuxième couches semiconductrices (12, 13) superposées pour former une couche de gaz d'électrons (14) à leur interface; -une grille de commande (2) formée sur la deuxième couche semiconductrice (13) ; Dans lequel la grille de commande (2) comprend : -une première couche d'oxyde de grille (22) ; -des nanocristaux (23) de matériau conducteur ou semi-conducteur, les nanocristaux présentant une charge électrostatique, lesdits nanocristaux étant isolés électriquement les uns des autres par la première couche d'oxyde de grille ; -un métal de grille (21) formé sur la première couche d'oxyde de grille (22). |
