发明名称 |
LiNbO<SUB>3</SUB>/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种LiNbO<SUB>3</SUB>/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及制备方法。所说的多层膜结构声表面波器件是在CVD金刚石膜和LiNbO<SUB>3</SUB>薄膜之间有高C-轴择优取向的纳米ZnO中间层。这种LiNbO<SUB>3</SUB>/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件的制备方法,是在CVD金刚石膜表面溅射高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜,而后在纳米ZnO薄膜表面溅射高C-轴择优取向的LiNbO<SUB>3</SUB>薄膜。本发明的有益效果是:采用高C-轴择优取向的纳米ZnO作为CVD金刚石和LiNbO<SUB>3</SUB>薄膜之间的中间层,可得到平整光滑、结晶度好的高C-轴择优取向的优质LiNbO<SUB>3</SUB>纳米膜。该薄膜结构可满足高频、高机电耦合系数、大功率声表面波(SAW)器件等领域的应用需求。 |
申请公布号 |
CN1731676A |
申请公布日期 |
2006.02.08 |
申请号 |
CN200510014977.X |
申请日期 |
2005.09.05 |
申请人 |
天津理工大学 |
发明人 |
杨保和;陈希明;熊瑛;徐晟;孙大智;李明 |
分类号 |
H03H3/08(2006.01);H03H9/25(2006.01) |
主分类号 |
H03H3/08(2006.01) |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 |
代理人 |
廖晓荣 |
主权项 |
1.一种LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件,其特征在于所说的多层膜结构声表面波器件是在CVD金刚石膜和LiNbO3薄膜之间有高C-轴择优取向的纳米ZnO中间层。 |
地址 |
300191天津市南开区红旗路263号 |