| 发明名称 | 微米、纳米（SiC）<SUB>p</SUB>表面全包覆的工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种实现微米、纳米(SiC)<SUB>P</SUB>表面全包覆的工艺方法，在常压和低温下，以工业生产中的废料(SiC)<SUB>P</SUB>为原料，采用简单的化学镀方法，对(SiC)<SUB>P</SUB>进行了低成本的表面包覆、改性。为了达到较好的包覆效果，(SiC)<SUB>P</SUB>必须进行前处理，此过程包括：氧化处理、亲水性处理、敏化处理、活化处理。采用该种方法包覆(SiC)<SUB>P</SUB>，对工艺条件、原料及生产设备要求低，过程可控性强，所得产品涂层均匀、连续质量高。 | ||
| 申请公布号 | CN1730440A | 申请公布日期 | 2006.02.08 |
| 申请号 | CN200510010144.6 | 申请日期 | 2005.07.01 |
| 申请人 | 哈尔滨工程大学 | 发明人 | 宿辉;曹茂盛;王正平 |
| 分类号 | C04B35/628(2006.01);C04B35/565(2006.01);C04B41/50(2006.01) | 主分类号 | C04B35/628(2006.01) |
| 代理机构 | 哈尔滨市船大专利事务所 | 代理人 | 张贵丰 |
| 主权项 | 1.一种微米、纳米(SiC)P表面全包覆的工艺方法，其特征是：在常压和较低的温度下，利用常规的化学镀方法，实现了(SiC)P表面的全包覆，(SiC)P表面包覆前，必须对其进行前处理，此过程包括：氧化处理、亲水性处理、敏化处理、活化处理。 | ||
| 地址 | 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区文庙街41号楼 | ||