使用8族(Ⅷ)金属茂前体的沉积方法

摘要

本发明公开一种制备薄膜、涂层或者粉末的方法，此方法应用通式CpMCp’的金属茂或者金属茂类前体，其中M为选自Ru、Os和Fe的金属；Cp为第一个取代的环戊二烯基或者环戊二烯基类(例如茚基)部分，该部分包含至少一个取代基D₁，其中D₁为X；C_a1H_b1X_c1；C_a2H_b2X_c2(C＝O)C_a1H_b1X_c1；C_a2H_b2X_c2OC_a1H_b1X_c1；C_a2H_b2X_c2(C＝O)OC_a1H_b1X_c1或者C_a2H_b2X_c2O(C＝O)C_a1H_b1X_c1；Cp′是第二个取代的环戊二烯基或者环戊二烯基类(例如茚基)部分，该部分包含至少一个取代基D₁′，D₁′为X；C_a1H_b1X_c1；C_a2H_b2X_c2(C＝O)C_a1H_b1X_c1；C_a2H_b2X_c2OC_a1H_b1X_c1；C_a2H_b2X_c2(C＝O)OC_a1H_b1X_c1或者C_a2H_b2X_c2O(C＝O)C_a1H_b1X_c1。D₁与D₁′彼此不同。X为卤素原子或者NO₂；a1为1到8的整数；b1为0到2(a1)+1－c1的整数；c1为0到2(a1)+1－b1的整数；b1+c1至少为1；a2为0到8的整数；b2为0到2(a2)+1－c2的整数；c2为0到2(a2)+1－b2的整数；本方法可用于电子器件的制造或加工。

主权项

1.一种用于制备膜的方法，所述方法包括在基底存在下分解至少一种前体，并由此在所述基底上形成膜的步骤，其中通过热、化学、光化学或者等离子体激发而实现所述分解，所述前体的通式为CpMCp′，其中M为选自Ru、Os和Fe的金属；Cp为第一个取代的环戊二烯基或者茚基部分，该部分包含至少一个取代基D1；Cp′是第二个取代的环戊二烯基或者茚基部分，该部分包含至少一个取代基D1′；其中D1与D1′不同；D1选自：X；Ca1Hb1Xc1；Ca2Hb2Xc2(C＝O)Ca1Hb1Xc1；Ca2Hb2Xc2OCa1Hb1Xc1；Ca2Hb2Xc2(C＝O)OCa1Hb1Xc1；以及Ca2Hb2Xc2O(C＝O)Ca1Hb1Xc1；其中X为卤素原子；a1为2到8的整数；b1为0到2(a1)+1-c1的整数；c1为0到2(a1)+1-b1的整数；b1+c1至少为1；a2为0到8的整数；b2为0到2(a2)+1-c2的整数；c2为0到2(a2)+1-b2的整数；以及D1′选自：X；Ca1Hb1Xc1；Ca2Hb2Xc2(C＝O)Ca1Hb1Xc1；Ca2Hb2Xc2OCa1Hb1Xc1；Ca2Hb2Xc2(C＝O)OCa1Hb1Xc1；以及Ca2Hb2Xc2O(C＝O)Ca1Hb1Xc1；其中X为F、Cl、Br或者I；a1为1到8的整数；b1为0到2(a1)+1-c1的整数；c1为0到2(a1)+1-b1的整数；b1+c1等于或者大于1；a2为0到8的整数；b2为0到2(a2)+1-c2的整数；c2为0到2(a2)+1-b2的整数；以及b2+c2等于或者大于1。