发明名称 | 罩幕式只读存储器的制造方法 | ||
摘要 | 一种罩幕式只读存储器的制造方法,此方法提供已形成栅极介电层、埋入式位线的基底,接着于基底上形成字符线与字符线上的条状前置层,再定义条状前置层以形成多个前置编码凸块。然后,于前置编码凸块的间隙形成介电层,再于介电层与前置编码凸块上形成具有多个编码开口的罩幕层,且于编码开口中暴露出部分的前置编码凸块。其后,完全去除编码开口所暴露的前置编码凸块以形成前置编码开口。之后,于去除罩幕层后,再以介电层为编码罩幕,进行编码工艺以于基底中形成编码掺杂区。 | ||
申请公布号 | CN1241256C | 申请公布日期 | 2006.02.08 |
申请号 | CN02118036.9 | 申请日期 | 2002.04.18 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张庆裕 |
分类号 | H01L21/8246(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01) |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1.一种罩幕式只读存储器的制造方法,其特征是,该方法包括:提供一基底,且该基底已形成一栅极介电层、一埋入式位线;于该基底上形成一字符线与该字符线上的一条状前置层;定义该条状前置层以形成多个前置编码凸块;于该些前置编码凸块的间隙形成一介电层;于该介电层与该些前置编码凸块上形成具有多个编码开口的一罩幕层,并于该些编码开口中暴露出部分或全部的该些前置编码凸块;完全去除该些编码开口所暴露的部分或全部的该些前置编码凸块,以形成多个前置编码开口;去除该罩幕层;以及以该介电层为罩幕,进行一编码布植工艺以于该基底中形成一编码掺杂区。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |