p型Zn<SUB>1－x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>O晶体薄膜及其制备方法

摘要

本发明的p型Zn_1-xMg_xO晶体薄膜，其p型掺杂剂的掺杂浓度为10¹⁶～10²¹cm^-3，载流子浓度为10¹⁴～10¹⁹cm^-3。制备采用脉冲激光沉积法，步骤如下：先取高纯ZnO、MgO和p型掺杂剂的粉末，其中MgO摩尔含量x为0＜x≤40％，p型掺杂剂的摩尔含量y为0＜y≤1％，将上述粉末均匀混合，研磨后加入有机粘结剂压制成型，在300～800℃温度下烧结，制得p型掺杂的Zn_1-xMg_xO陶瓷靶，然后以压力为8～15Pa的高纯氧气作为生长气氛，所得的陶瓷靶为靶材，利用激光照射靶面，形成激波，把靶材输送到经清洗的衬底生长获得p型Zn_1-xMg_xO晶体薄膜。本发明通过调节靶材中掺杂剂的摩尔含量可以控制掺杂浓度。

主权项

1.p型Zn1-xMgxO晶体薄膜，其特征在于该晶体薄膜p型掺杂剂的掺杂浓度为1015～1021cm-3，载流子浓度为1014～1019cm-3，x的取值范围为0＜x≤0.4。