发明名称 | 在图案化材料上形成高分子层的方法 | ||
摘要 | 一保护层沉积在一基底的表面上,其是由等离子体增强型化学气相沉积制造工艺而形成,然后在保护层上沉积一高分子层。此基底放置在一反应室内的垫块上,接着在至少一等离子体源影响下,氟碳气体导入反应室中,此氟碳气体可以是CF<SUB>x</SUB>气体,此至少一等离子体源包括通过使用无线电频率等离子体能量离子化氟碳气体的第一等离子体源,以及在沉积保护层时的无线电频率及沉积高分子层时较大的偏压,使用一几近于零的自偏压至基底的第二等离子体源。沉积高分子之前先沉积保护层以保护基底表面,避免沉积高分子层时损坏基底。 | ||
申请公布号 | CN1241243C | 申请公布日期 | 2006.02.08 |
申请号 | CN03122983.2 | 申请日期 | 2003.04.23 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈中泰;梁明中;蔡信谊 |
分类号 | H01L21/312(2006.01) | 主分类号 | H01L21/312(2006.01) |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1.一种在图案化材料上形成高分子层的方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底具有一图案化材料形成在其上;进行一等离子体增强型化学气相沉积法,以于该图案化材料上形成一保护层;以及在该保护层上原位形成一高分子层,其中,该保护层是使用一几近于0的偏压功率所形成,且该保护层是直接吸附在该图案化材料的表面。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |