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发明名称 METHOD FOR FORMING TRENCH TYPE ISOLATION LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR20060010933(A) 申请公布日期 2006.02.03
申请号 KR20040059536 申请日期 2004.07.29
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 KIM, HYUNG KYUN;SONG, CHANG ROCK
分类号 H01L21/762 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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