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发明名称 METHOD OF FORMING A GATE ELECTRODE IN A FLASH MEMORY DEVICES
摘要
申请公布号 KR100551431(B1) 申请公布日期 2006.02.03
申请号 KR20040078290 申请日期 2004.10.01
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 CHOI, YUN JE
分类号 H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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