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发明名称 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号 KR20060011605(A) 申请公布日期 2006.02.03
申请号 KR20040060521 申请日期 2004.07.30
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 PARK, BYUNG JUN
分类号 H01L27/108 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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