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发明名称 METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL SILICON LAYER TO MANUFACTURE A SOI WAFER
摘要
申请公布号 KR100548545(B1) 申请公布日期 2006.02.02
申请号 KR19990058400 申请日期 1999.12.16
申请人 发明人
分类号 C30B29/06 主分类号 C30B29/06
代理机构 代理人
主权项
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